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水果老虎机

时间:2020-02-19 23:54:58 作者:bwin 浏览量:35441

AG永久入口【AG88.SHOP】水果老虎机HIT太阳电池生产技术研发进展

北极星太阳能光伏网讯:本文介绍南昌大学光伏研究院热丝CVD装备国产化的改进探索。

(来源:微信公众号“光伏测试网”ID:TestPV)

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衬底温度100℃、275℃ 热处理最优!

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黑色:热处理前 红色:热处理后

适当降低基 片温度,镀 膜后热处理 获得较好少 子寿命值。

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不破:IN、IP连续镀膜

破:IN镀膜后退出真空 腔体外,停留40min。

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小 结

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镀膜温度与后处理加热的工艺协同调控,钝化效果更优。

原标题:HIT太阳电池生产技术研发进展

北极星太阳能光伏网讯:本文介绍南昌大学光伏研究院热丝CVD装备国产化的改进探索。

(来源:微信公众号“光伏测试网”ID:TestPV)

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可实现 in、ip、双面TCO的不破真空连续镀膜

自行设计、国内公司生产

热丝加工

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a-SiOx:H 制备过程中的热丝氧化问题可通过工艺参数的 调节解决

镀膜+热处理 温度协同作用

仅衬底加热,220℃较优!

衬底温度100℃、275℃ 热处理最优!

镀膜+热处理 温度协同作用

黑色:热处理前 红色:热处理后

适当降低基 片温度,镀 膜后热处理 获得较好少 子寿命值。

IN、IP两面连续镀(片子不接触大气)

不破:IN、IP连续镀膜

破:IN镀膜后退出真空 腔体外,停留40min。

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不破:IN、IP连续镀膜

破:IN镀膜后退出真空 腔体外,停留40min。

连续镀明显优

小 结

热丝可以在国内解决;

IN、IP连续镀膜不破真空的设计可行;

镀膜温度与后处理加热的工艺协同调控,钝化效果更优。

原标题:HIT太阳电池生产技术研发进展

HIT太阳电池生产技术研发进展

4.HIT太阳电池生产技术研发进展。

北极星太阳能光伏网讯:本文介绍南昌大学光伏研究院热丝CVD装备国产化的改进探索。

(来源:微信公众号“光伏测试网”ID:TestPV)

HWCVD Vs. PECVD

HWCVD Vs. PECVD

一次8片;

可实现 in、ip、双面TCO的不破真空连续镀膜

自行设计、国内公司生产

热丝加工

新热丝做的本征非晶硅的钝化效果明显优于对比热丝。

a-SiOx:H 制备过程中的热丝氧化问题可通过工艺参数的 调节解决

镀膜+热处理 温度协同作用

仅衬底加热,220℃较优!

衬底温度100℃、275℃ 热处理最优!

镀膜+热处理 温度协同作用

黑色:热处理前 红色:热处理后

适当降低基 片温度,镀 膜后热处理 获得较好少 子寿命值。

IN、IP两面连续镀(片子不接触大气)

不破:IN、IP连续镀膜

破:IN镀膜后退出真空 腔体外,停留40min。

连续镀明显优

小 结

热丝可以在国内解决;

IN、IP连续镀膜不破真空的设计可行;

镀膜温度与后处理加热的工艺协同调控,钝化效果更优。

原标题:HIT太阳电池生产技术研发进展

北极星太阳能光伏网讯:本文介绍南昌大学光伏研究院热丝CVD装备国产化的改进探索。

(来源:微信公众号“光伏测试网”ID:TestPV)

HWCVD Vs. PECVD

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一次8片;

可实现 in、ip、双面TCO的不破真空连续镀膜

自行设计、国内公司生产

热丝加工

新热丝做的本征非晶硅的钝化效果明显优于对比热丝。

a-SiOx:H 制备过程中的热丝氧化问题可通过工艺参数的 调节解决

镀膜+热处理 温度协同作用

仅衬底加热,220℃较优!

衬底温度100℃、275℃ 热处理最优!

镀膜+热处理 温度协同作用

黑色:热处理前 红色:热处理后

适当降低基 片温度,镀 膜后热处理 获得较好少 子寿命值。

IN、IP两面连续镀(片子不接触大气)

不破:IN、IP连续镀膜

破:IN镀膜后退出真空 腔体外,停留40min。

连续镀明显优

小 结

热丝可以在国内解决;

IN、IP连续镀膜不破真空的设计可行;

镀膜温度与后处理加热的工艺协同调控,钝化效果更优。

原标题:HIT太阳电池生产技术研发进展

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(来源:微信公众号“光伏测试网”ID:TestPV)

HWCVD Vs. PECVD

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一次8片;

可实现 in、ip、双面TCO的不破真空连续镀膜

自行设计、国内公司生产

热丝加工

新热丝做的本征非晶硅的钝化效果明显优于对比热丝。

a-SiOx:H 制备过程中的热丝氧化问题可通过工艺参数的 调节解决

镀膜+热处理 温度协同作用

仅衬底加热,220℃较优!

衬底温度100℃、275℃ 热处理最优!

镀膜+热处理 温度协同作用

黑色:热处理前 红色:热处理后

适当降低基 片温度,镀 膜后热处理 获得较好少 子寿命值。

IN、IP两面连续镀(片子不接触大气)

不破:IN、IP连续镀膜

破:IN镀膜后退出真空 腔体外,停留40min。

连续镀明显优

小 结

热丝可以在国内解决;

IN、IP连续镀膜不破真空的设计可行;

镀膜温度与后处理加热的工艺协同调控,钝化效果更优。

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a-SiOx:H 制备过程中的热丝氧化问题可通过工艺参数的 调节解决

镀膜+热处理 温度协同作用

仅衬底加热,220℃较优!

衬底温度100℃、275℃ 热处理最优!

镀膜+热处理 温度协同作用

黑色:热处理前 红色:热处理后

适当降低基 片温度,镀 膜后热处理 获得较好少 子寿命值。

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不破:IN、IP连续镀膜

破:IN镀膜后退出真空 腔体外,停留40min。

连续镀明显优

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镀膜温度与后处理加热的工艺协同调控,钝化效果更优。

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镀膜+热处理 温度协同作用

仅衬底加热,220℃较优!

衬底温度100℃、275℃ 热处理最优!

镀膜+热处理 温度协同作用

黑色:热处理前 红色:热处理后

适当降低基 片温度,镀 膜后热处理 获得较好少 子寿命值。

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破:IN镀膜后退出真空 腔体外,停留40min。

连续镀明显优

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仅衬底加热,220℃较优!

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